日本のGaNおよびSiCパワー半導体市場、2035年には75億米ドル規模へ成長予測

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市場規模と成長の展望

この調査結果によれば、日本のGaNおよびSiCパワー半導体市場は、2025年に18億米ドルを超え、2035年末までには75億米ドルに達すると予測されています。この期間における年平均成長率(CAGR)は15.4%と見込まれており、高い成長が期待されています。

日本のGaNおよびSiCパワー半導体市場ーレポートの要点

市場成長を牽引する要因

市場の成長は、技術統合、戦略的買収、そして高効率化への需要拡大が相乗効果をもたらしていることに後押しされています。特に、日本が2050年までのカーボンニュートラル実現を目指していることが大きな要因です。この目標達成に向けて、公共利用向けの急速充電器3万基を含む、合計15万基の電気自動車(EV)充電設備の設置が最終目標とされています。このような将来を見据えた充電環境の整備に対するニーズの高まりが、EV向け充電サービス産業の拡大を促し、GaNおよびSiCパワー半導体市場に大きな成長機会をもたらすと示唆されています。

最新の企業動向

日本のGaNおよびSiCパワー半導体市場では、主要企業による積極的な動きが見られます。

  • 2025年3月には、サンケン電気株式会社が株式会社パウデック(POWDEC K.K.)の株式を取得しました。これは、低発熱・高速スイッチング・高耐圧を実現するGaNパワーデバイスの開発を加速させるための戦略的な動きです。

  • 2022年11月には、ローム株式会社がマツダ株式会社および株式会社今仙電機製作所と共同開発契約を締結しました。この契約は、電気自動車(EV)の電動駆動ユニットに搭載されるSiCパワーモジュールおよびインバータに関するものです。

製品セグメンテーションの分析

市場調査分析によると、製品カテゴリー別セグメントでは「SiCパワーモジュール」が予測期間中に43.2%という最大のシェアを占めると予測されています。この成長は、高い堅牢性と熱効率が求められる高電圧・高温環境下の車載用途、特に電気自動車のトラクションインバーターや車載充電器において、SiCパワーモジュールが極めて重要な役割を果たすことに大きく牽引されています。モジュールという形状が既存のパワートレイン設計への組み込みを容易にし、自動車メーカーでの採用を加速させていると考えられます。一方、GaNデバイスはデータセンター用電源や急速充電器といった低電圧・高周波用途で引き続き存在感を示しています。

地域別概要:東京が牽引する市場

日本のGaNおよびSiCパワー半導体市場において、東京は予測期間中に最大のシェアを占めると見込まれています。これは、国全体の企業戦略や技術革新に加え、産業システムやAIデータセンターからの需要増加が要因です。例えば、JETROが2023年2月に発表した記事によると、Colt DCSは日本での事業展開以来、首都圏に4つのデータセンター施設を擁しています。また、東京は地盤の安定性という重要な要素を備えているため、通信事業者から高く評価されています。国内のデータセンター市場は2022年時点で3.2兆円規模でしたが、2026年には4.0兆円を超え、年平均成長率は5.5%に達すると予測されています。政府が規制政策や積極的な投資を通じてデジタル化の推進に注力していることも、市場の成長を加速させています。

市場の主要プレーヤー

日本のGaNおよびSiCパワー半導体市場における主なプレーヤーは以下の通りです。

  • ROHM Co., Ltd.

  • Mitsubishi Electric Corporation

  • Toshiba Corporation

  • Fuji Electric Co., Ltd.

  • Renesas Electronics Corporation

詳細情報

この市場調査レポートの詳細は、以下のResearch Nesterのウェブサイトで確認できます。

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