Patentix、次世代パワー半導体素材「r-GeO₂」をテクノフロンティア2026で展示〜世界初の6インチGeO₂ on Si基板も公開〜

テクノフロンティア2026での主要展示
次世代パワー半導体素材「r-GeO₂」への期待
展示会情報

テクノフロンティア2026での主要展示

Patentixのブースでは、「次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウムの社会実装」をテーマに、この素材の可能性と優位性が幅広く展示されます。特に注目されるのは、世界初となる6インチGeO₂ on Si基板のサンプルです。この展示は、多くの来場者がPatentixの開発状況に触れる貴重な機会となるでしょう。

さらに、シーマ電子株式会社から提供されたGeO₂チップをTO247パッケージに実装したデバイスサンプルも展示が予定されています。来場者は、実際のデバイスの姿を確認することができます。

次世代パワー半導体素材「r-GeO₂」への期待

近年、生成AIの急速な普及に伴い、データセンターでは膨大な電力消費と熱の冷却という課題に直面しています。この問題に対応するため、サーバラックに供給される電源電圧の高電圧化（DC800V）が進められており、電源回路に用いられるパワー半導体には、より高い耐圧と効率が求められています。

現在、データセンターではSiCデバイスやGaNデバイスといったワイドバンドギャップ半導体の普及が進んでいますが、その一方で、次の新規半導体材料への期待も高まっています。ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）は、このような背景から次世代パワー半導体材料として注目されており、電力変換ロスの低減に貢献する可能性を秘めています。

Patentixは、今回の展示会でr-GeO₂の今後の開発予定についても紹介するとしています。