GaN-On-SiCデバイスの世界市場、2032年までに22.4億米ドル規模へ成長予測

GaN-On-SiCデバイス市場、2032年には22.4億米ドルへ拡大の見込み
市場規模の成長予測
GaN-On-SiCデバイスとは
技術の進化と製造トレンド
主要なアプリケーションと市場の牽引要因
レポートの主な内容
今後の展望

GaN-On-SiCデバイス市場、2032年には22.4億米ドルへ拡大の見込み

株式会社マーケットリサーチセンターは、「GaN-On-SiCデバイスの世界市場（2026年～2032年）」に関する詳細な調査レポートを発表しました。このレポートでは、GaN-On-SiCデバイス市場の現状、将来の市場規模、市場動向、そしてGaN HEMTやGaN MMICといった主要セグメントの予測が示されています。

市場規模の成長予測

GaN-On-SiCデバイスの世界市場は、2025年には13億8500万米ドルでしたが、2032年には22億4000万米ドルに達すると予測されています。これは、2026年から2032年までの期間で年平均成長率（CAGR）7.0％という堅調な成長が見込まれていることを示しています。

GaN-On-SiCデバイスとは

GaN-On-SiCデバイスとは、窒化ガリウム（GaN）を炭化ケイ素（SiC）基板上に成長させた半導体デバイスを指します。GaNは高温、高電圧、高周波数での動作が可能な特性を持ち、一方のSiCは高い熱伝導性と耐圧特性に優れています。この組み合わせにより、高電力密度、高効率、小型化、そして高いスイッチング速度といった優れた性能が実現されます。特に、RF（高周波）/マイクロ波/ミリ波デバイスやICにおいて、高電力密度RF性能を実現するための最適な技術として位置づけられています。

具体的には、ディスクリートRF GaNパワートランジスタ（GaN HEMT）や、PA/ドライバ/LNA/スイッチ機能を統合したモノリシックマイクロ波IC（GaN MMIC）などが含まれます。

技術の進化と製造トレンド

GaN-On-SiCデバイスの技術は、GaN HEMTの2DEGチャネルを活用することで、より高い破壊電圧や動作電圧、電流密度、高周波性能を実現し、高出力時における高効率化やダイサイズの小型化に貢献しています。また、SiC基板の優れた熱伝導率は、デバイスの電力密度と寿命を向上させる上で重要な役割を果たしています。

製造面では、プラットフォームとウェーハサイズのスケールアップが進んでいます。従来100mmウェーハが主流でしたが、コスト効率向上のため150mm（6インチ）への移行が進んでおり、将来的には200mmへの拡大も期待されています。このウェーハサイズの大型化は、GaN MMICの単価削減に直結すると見られています。

主要なアプリケーションと市場の牽引要因

GaN-On-SiCデバイスは、主に以下の分野でその能力を発揮しています。

無線インフラ
衛星通信
航空宇宙・防衛（レーダー、電子戦、AESA送受信モジュールなど）
特殊産業用／マイクロ波システム

市場を牽引する主な要因としては、防衛および衛星通信分野の成長、5G/6Gといった高帯域幅RFアーキテクチャが要求するより高い電力と直線性、そして基板プラットフォームのセグメンテーションが挙げられます。特に、超高電力密度と高信頼性が求められるニッチ市場では、GaN-On-SiCが引き続き採用される傾向にあります。

サプライチェーンにおいては、ポートフォリオの集中化と統合により再編が進んでおり、例えばWolfspeedがRF事業をMACOMに売却し、SiC半導体専業メーカーとなった事例が報告されています。

レポートの主な内容

本調査レポートでは、GaN-On-SiCデバイス市場の過去の売上実績を検証し、2025年の総売上高を概観するとともに、2026年から2032年までの地域別、市場セクター別、サブセクター別の売上予測を詳細に分析しています。

さらに、製品セグメンテーション、企業動向、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A活動に関連する主要なトレンドも明らかにされています。主要グローバル企業の戦略についても、GaN-On-SiCデバイスのポートフォリオ、技術力、市場参入戦略、市場での位置づけ、および地理的展開に焦点を当てて分析されています。