窒化ガリウム半導体デバイスおよび基板ウエハー市場、2035年までに521億米ドル規模へ成長予測
SDKI Analyticsが実施した最新の市場調査により、窒化ガリウム(GaN)半導体デバイスおよび基板ウエハー市場が、2026年から2035年の予測期間において著しい成長を遂げるとの分析結果が発表されました。
市場の現状と将来予測
この市場は、2025年には約37億米ドル規模と記録されており、2035年までには約521億米ドルという収益に達すると予測されています。予測期間中の年平均成長率(CAGR)は約30.3%に及ぶ見込みです。

SDKI Analyticsの分析によると、この市場拡大の主要な要因は、小型民生用電子機器における高効率な電力変換への急速な移行にあります。GaNデバイスは、従来のシリコン部品と比較してスイッチング速度が速く、電力変換時のエネルギー損失が少ないという特長を持っています。これにより、充電器やアダプターのより高周波での動作が可能となり、機器の大幅な小型化が実現します。
主要な電子機器メーカー各社は、この技術的優位性を背景に、スマートフォン、ノートPC、ウェアラブルデバイス向けのGaNベースの急速充電システムへと軸足を移しつつあります。民生用電子機器の世界的な出荷台数が膨大な規模を維持する中、メーカー各社は発熱の抑制や充電速度の向上を図るべく、GaN技術を核とした電源ユニットの再設計を加速させている状況です。これにより、GaNデバイスおよび基板ウエハーの双方に対して、堅固かつ持続的な需要基盤が形成されつつあります。
市場が直面する課題
一方で、GaN半導体のバリューチェーンにおける主要な課題として、製造プロセスの複雑さおよびウエハー製造コストの高さが挙げられます。GaN基板の製造には、すでに確立されたシリコン製造のインフラとは異なる、特殊な結晶成長技術や高精度な加工プロセスが求められます。
アプリケーションによっては、こうした製造上の複雑さが生産能力の制約となり、大規模な商業化のペースを鈍化させる要因となる可能性があります。結果として、デバイスメーカーは、性能向上によるメリットと、材料費や製造コストの上昇との間で、適切なバランスを取る必要に迫られています。電子機器、自動車、通信といった各分野で需要の拡大が続く中であっても、ウエハー製造の経済的なスケールアップ(規模拡大)は依然として大きなハードルとなっており、GaNエコシステム全体の価格体系や供給の安定性に影響を及ぼしていると考えられます。
最新の市場動向と企業の取り組み
窒化ガリウム半導体デバイスおよび基板ウエハー市場では、技術革新を支える動きが見られます。
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2025年10月、imecは300mmガリウムナイトライド(GaN)パワーエレクトロニクス技術の開発に特化した新たな産業プログラムを立ち上げました。AIXTRON、GlobalFoundries、KLA、Synopsys、Veecoを含むパートナー各社と連携し、より大口径のウエハー上でのGaNエピタキシャル成長およびHEMTプロセスフローの高度化を推進しています。この取り組みは、より大口径のGaN基板やスケーラブルなデバイス製造に向けた業界全体の動きを象徴するものです。
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2024年11月、Sumitomo Chemicalは、よりエネルギー効率の高い半導体システムの実現を目指し、パワーデバイス向け6インチGaN-on-GaNウエハーの量産技術加速に向けた取り組みを発表しました。この開発は、自動車、パワーエレクトロニクス、通信といった各分野における次世代パワー半導体デバイスの実現を可能にする、高品質なGaN基板およびエピタキシャルウエハー技術への投資が拡大していることを示すものです。
市場のセグメンテーションと地域分析
市場はアプリケーション別に、民生用電子機器用電源、自動車とEV用電源システム、通信インフラ、航空宇宙と防衛の4つに分類されています。中でも、民生用電子機器用電源セグメントは、2035年には37%という圧倒的な収益シェアを記録すると予測されています。
民生用電子機器セグメントは、GaN半導体の採用において引き続き商業的な基盤となることが期待されます。これは、薄型でコンパクトな電源アダプタや急速充電器が、GaNの高いスイッチング周波数と電力損失の低減というメリットを享受できるためです。
地域別に見ると、アジア太平洋地域は2035年に36%という圧倒的な収益シェアを記録し、年平均成長率(CAGR)32.1%という最速の成長率で拡大すると予測されています。この成長の大きな要因は、アジア太平洋地域が世界で最も密度の高い電子機器製造エコシステムを擁していることにあります。半導体製造、民生用電子機器の組み立て、通信インフラ開発は、中国、日本、韓国、台湾といった経済圏に集中しています。
日本の窒化ガリウム半導体デバイスおよび基板ウエハー市場も、予測期間中に拡大し、関係者に大きなビジネスチャンスをもたらすと予測されています。日本は先進材料科学とパワーエレクトロニクス工学において確固たるリーダーシップを築いており、GaNバリューチェーンの上流および中流セグメントを担っています。国内の自動車、産業オートメーション、家電業界のリーダー企業がGaNの採用を加速させるにつれ、日本のエコシステムは材料サプライヤー、装置メーカー、IP中心の技術パートナーにとって、ますます魅力的な機会を提供していると言えるでしょう。
主要な市場プレーヤー
世界の窒化ガリウム半導体デバイスおよび基板ウエハー市場で特に注目されるプレーヤーは以下の通りです。
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Cree, Inc.
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Infineon Technologies AG
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Texas Instruments
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Qorvo, Inc.
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STMicroelectronics
また、日本市場のトッププレーヤーは以下の通りです。
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Mitsubishi Chemical Corporation
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Sumitomo Electric Industries, Ltd.
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Fujitsu Limited
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Panasonic Holdings Corporation
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Renesas Electronics Corporation
調査レポートの詳細情報
SDKI Analyticsが提供する詳細な市場調査レポートは、以下のリンクから入手可能です。
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レポート詳細: https://www.sdki.jp/reports/gallium-nitride-semiconductor-devices-and-substrate-wafer-market/59610
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無料サンプルレポート: https://www.sdki.jp/sample-request-59610
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トライアルリーディングリクエスト: https://www.sdki.jp/trial-reading-request-59610
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お問い合わせ: https://www.sdki.jp/contact/
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SDKI Analyticsウェブサイト: https://www.sdki.jp/


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